天眼查App显示，2025年6月10日，「一种硅片硼掺杂层的制备方法、硅片及装置系统」正式进入专利公布阶段。申请人为深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，该项光伏材料专利涉及硅片硼掺杂层的制备技术。据专利信息显示，该方法利用PECVD工艺替代传统硼扩散工艺，能够显著优化制造成本和工艺时间，常规硼扩散制备硼掺杂层工艺时间在1.5小时以上，而该方法可将制备时间控制在45分钟以内，从而大幅降低成本并减少石英器件损耗。发明人为李国庆、居瑞智、张明珠、张勇。专利摘要指出，本发明提出了一种硅片硼掺杂层的制备方法，包括对硅片进行预处理、通过PECVD方式制备硼源层或沉积硼源，并送入退火设备中激活硼原子形成硼掺杂层，为光伏产业提供了突破性进展。

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