天眼查App显示，2025年6月17日，「晶片退火装置」正式进入专利的公布阶段。申请人为江苏天科合达半导体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司，该项晶体生长专利涉及半导体晶片制备技术领域。据专利信息显示，该装置显著优化了晶片在退火过程中的受热均匀性，有效减少破损率，提升退火质量和效率。发明人为刘林聪、张平、邹宇、杨建、彭同华、娄艳芳、杨占伟、张大庆、曹洋。「本发明公开了一种晶片退火装置，包括退火坩埚、退火间隔件和导向杆，退火坩埚包括埚体及封堵埚体顶端开口的坩埚盖，坩埚盖与埚体可拆卸连接。退火间隔件可拆装设置于埚体，退火间隔件用于间隔叠置的晶片。导向杆设置于埚体，且底端与埚体内部底端连接；退火间隔件设有与导向杆滑动配合的限位孔，退火间隔件插接于导向杆。在本申请提供的晶片退火装置中，退火间隔件和晶片叠置后，在退火间隔件插入导向杆后，可以在导向杆的作用下滑入埚体，且实现对退火间隔件和晶片限位，操作简单、便捷，同时，由于相邻晶片通过退火间隔件等间距隔离，使得晶片在退火坩埚中受热均匀，便于晶片应力释放，减少破损，有效地提高了晶片的退火质量和效率。」

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