天眼查App显示，2025年6月17日，「一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法」正式进入专利权的授权阶段。申请人为横店集团东磁股份有限公司，该项太阳能电池领域专利涉及全硅基多结太阳能电池及其制备技术。据专利信息显示，该技术实现了显著优化。发明人为吴成坤、任勇、陈德爽。

本发明公开了一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法。该电池包括N型硅基底，设于正面的金字塔绒面和钝化膜，以及背面交错排布的正极区A、负极区A、正极区B和负极区B。通过将电极全部设置在背面，可有效减少遮光损伤，提升电池性能，并避免串联为电池组件后连接导线对硅片侧面的损伤，从而提高良品率。此外，由于该电池为全硅基电池，整体稳定性更好。

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