天眼查App显示，2025年6月20日，「台面晶体管及其制作方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为吉林华微电子股份有限公司，该项半导体专利涉及半导体制作技术领域。据专利信息显示，该技术能够大幅降低台面晶体管的漏电流，显著优化其可靠性和工作温度范围，同时有效提高击穿电压。发明人为陈霖、李昆翔、左义忠、李大喆、耿智蔷、孙传帮、邵长海。 「本申请实施例提供一种台面晶体管及其制作方法，涉及半导体制作技术领域。上述台面晶体管包括单晶衬底、第一掺杂区、台面沟槽、隔离氧化层、半绝缘多晶硅层以及浮空场板。隔离氧化层位于单晶衬底和半绝缘多晶层之间，可以有效阻断高温环境下单晶衬底与半绝缘多晶层之间的欧姆电流路径，大幅降低台面晶体管的漏电流，提升台面晶体管的可靠性和工作温度范围。浮空场板贯穿半绝缘多晶硅层及隔离氧化层，并与单晶衬底及半绝缘多晶硅层接触，浮空场板无引线且与阴极等电位，使得器件反偏时电压施加至半绝缘多晶硅层，避免其电气隔离失效。同时，浮空场板还可以优化单晶衬底表面电场分布，降低峰值电场强度，有效提高击穿电压。」

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