天眼查App显示，2025年6月27日，《一种导电型碳化硅晶体的生长装置及其生长方法》正式进入专利的公布阶段。申请人为北京天科合达半导体股份有限公司、江苏天科合达半导体有限公司，该项半导体器件专利涉及碳化硅晶体生长技术领域。据专利信息显示，该方案通过对气体腔和辅助腔充气调控生长气流与温度梯度，有效改善了碳化硅晶体面型并减少边缘缺陷，其技术效果获得显著优化。发明人为张雪霞、娄艳芳、刘春俊、彭同华、杨建。本申请公开的生长装置通过石墨片连接气体腔与原料腔，在局部高压作用下促进气流速率从而提高晶体生长效率，并基于对生长腔轴向温度调节进一步实现径向温差控制，具有突破性进展。摘要中指出该设计可降低碳化硅晶体因高温区分布不均造成的缺陷问题，提升晶体品质。（abstracts原文：本申请提供了一种导电型碳化硅晶体的生长装置及其生长方法，涉及半导体器件技术领域...从而降低了生长腔内径向温度梯度，减少了碳化硅晶体因边缘处于生长腔的边缘高温区而产生的边缘缺陷，有效改善了碳化硅晶体面型。）

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