天眼查App显示，2025年6月27日，「一种高效热管理平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项电子元器件领域专利涉及碳化硅功率器件及其制造工艺。据专利信息显示，该技术通过优化金属层结构设计，提升了器件的热管理能力，有效降低源极接触电阻并减少产热。发明人为周海;陈彤;胡臻;何佳。本发明提供了一种高效热管理平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在所述碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，分别形成第一P型源区、第二P型源区、P型阱区、栅保护区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成肖特基金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积，形成绝缘介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成源极金属层，去除阻挡层，完成制备，设计与N型源区接触的肖特基金属层，降低了器件的源极接触电阻，减少了产热，提高器件的热管理能力。

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