天眼查App显示，2025年6月27日，上海贝岭股份有限公司申请的「沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备」专利正式进入专利的公布阶段。申请人为上海贝岭股份有限公司，该项半导体器件专利涉及功率半导体器件领域。据专利信息显示，该技术通过在栅极沟槽内设置多级阶梯型三明治NPN的屏蔽栅，实现同时减小漏源电容Cgd和漏源电容Cds；通过引入源极沟槽，将横向欧姆接触改为纵向接触，缩小器件尺寸，增大电流密度，性能提升达显著优化。发明人为钟圣荣;薛璐洁;曹荣荣;吴一帆;吴城城。本公开提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET、模组和电子设备，MOSFET包括：从下到上的金属化漏极、N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层、二氧化硅层间介质和金属化源极；金属化源极分别与N型碳化硅外延层和二氧化硅层间介质的顶部连接；N型碳化硅外延层包括位于N型碳化硅外延层的顶部中间并通过刻蚀形成的栅极沟槽；栅极沟槽内垂直设置屏蔽栅极和位于屏蔽栅极的上方的栅极，栅极和屏蔽栅极被二氧化硅层间介质包围并分隔开，屏蔽栅极的顶部接源电位。

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