天眼查App显示，2025年6月27日，「一种闪存器件及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为聚辰半导体股份有限公司，该项半导体制造专利涉及闪存器件的结构设计及其制备工艺。据专利信息显示，该方法通过优化掺杂导电层与自对准硅化物层的形成步骤，使得Source Line电阻率得到显著优化，有效避免了因电阻率过高导致的压降和功率消耗过大的问题。发明人为陈清。本发明公开了一种闪存器件及其制备方法，其优点是：在栅极结构上设置硬掩膜层，并采用光罩选择性去除漏极区的掺杂导电层后形成自对准硅化物层，从而提升器件性能。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。