天眼查App显示，2025年6月27日，「一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法」专利正式进入专利的公布阶段。申请人为晶芯成（北京）科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司，该项基本电气元件领域专利涉及半导体技术领域的沟槽制作方法及半导体器件的制备工艺。据专利信息显示，该方法通过使用单一光罩即可完成深浅沟槽的刻蚀，从而可以显著优化生产成本与制造流程。发明人为陈兴。本发明公开了一种沟槽的制作方法、半导体器件及其制作方法，该制作方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一掩膜层，并以光罩为掩膜对第一掩膜层进行刻蚀，使第一掩膜层覆盖第一沟槽区的衬底，在衬底上形成第二掩膜层，并对第二掩膜层进行刻蚀，使第二掩膜层暴露出第一掩膜层以及第二沟槽区的衬底，以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜对第二沟槽区的衬底进行刻蚀，形成较浅的第二沟槽，对第一掩膜层进行刻蚀，使第二掩膜层暴露出第二沟槽区和第一沟槽区的衬底，以第二掩膜层为掩膜对第一沟槽区和第二沟槽区的衬底进行刻蚀，形成较深的第二沟槽和较浅的第一沟槽，从而可以采用一张光罩制作浅沟槽和深沟槽，进而可以降低制作成本。

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