天眼查App显示，2025年7月1日，《一种锗硅刻蚀液的应用》正式进入专利的公布阶段。申请人为上海新阳半导体材料股份有限公司，该项基本电气元件领域专利涉及在选择性刻蚀GAA MOSFET结构中牺牲层的应用场景。据专利信息显示，该刻蚀液包含特定质量分数的氟化物、氧化剂和抑制剂，能够选择性加快硅-锗合金的氧化速率以及氧化物去除速率，同时减慢或小幅加快硅的氧化速率及氧化物的去除速率，对刻蚀硅-锗合金/Si具有高选择比，技术效果实现显著优化。发明人为王溯、马丽、邢诗惠、梁业成。本发明还提供了一种基于上述组分体系的刻蚀液应用方案，可广泛应用于先进制程中的关键工艺环节。（摘要内容来自：本发明公开了一种锗硅刻蚀液的应用。所述的锗硅刻蚀液应用为在选择性刻蚀GAA MOSFET结构中牺牲层中的应用，所述的锗硅刻蚀液其包含下述质量分数的组分：0.1％‑5％的氟化物、5％‑25％的氧化剂、0.5％‑2％抑制剂和水。本发明的锗硅刻蚀液能够选择性加快硅‑锗合金的氧化速率以及氧化物去除速率，同时减慢或小幅加快硅的氧化速率以及氧化物的去除速率；对刻蚀硅‑锗合金/Si具有高选择比。）

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