天眼查App显示，2025年7月8日，泰科天润半导体科技（北京）有限公司申请的「一种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为泰科天润半导体科技（北京）有限公司，该项半导体器件专利涉及碳化硅功率器件的设计与制造工艺。据专利信息显示，该技术通过优化沟槽栅结构及金属层布局，实现器件驱动电压的显著降低，并有效减少驱动损耗，提升器件可靠性。发明人为胡臻;何佳;陈彤;周海。摘要中指出，本发明提供了一种低驱动电压沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成掩蔽层、P型阱区、P型基区、P型源区及N型源区；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀漂移层至N型源区上侧面，淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，并刻蚀绝缘介质层形成沟槽，淀积金属，形成栅极金属层，去除阻挡层，完成制备，降低器件驱动电压，降低器件驱动损耗。提高器件可靠性。

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