天眼查App显示，2025年7月15日，「一种高保持电流瞬态电压抑制器件」专利正式进入专利权的授权阶段。申请人为上海韦尔半导体股份有限公司，该项电子元件专利涉及瞬态电压抑制技术领域。据专利信息显示，该器件通过将NPN结构与PNPN结构（SCR特性）并联，并利用NPN结构的击穿电压低于PNPN结构的设计，在小电流时采用NPN路径、大电流时自动切换至PNPN结构，显著优化了钳位电压表现并避免闩锁风险。发明人为李登辉、许成宗。本申请提供了一种高保持电流瞬态电压抑制器件，具体通过将NPN结构与PNPN结构（SCR特性）并联，且NPN结构的击穿电压低于PNPN结构（SCR特性）的击穿电压，当在小电流时电流路径为NPN结构，当NPN结构两端的钳位电压大于PNPN结构（SCR特性）的击穿电压时，触发PNPN结构（SCR特性），电流路径由NPN结构转换为PNPN结构（SCR特性），进而解决现有二极管特性和传统NPN结构特性瞬态电压抑制器件钳位电压高，PNPN结构（SCR特性）虽然钳位电压低，但存在闩锁风险的问题。

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