天眼查App显示，2025年7月25日，《存储器结构及其形成方法》专利正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体专利涉及存储器结构的技术应用。据专利信息显示，该专利通过沟道结构采用过渡金属硫化物作为沟道材料，减小了由于沟道长度缩短带来的短沟道效应、以及沟道和浮栅之间的漏电问题，提高了存储器结构的性能以及存储面积。发明人为胡生民;朱孟苏;李杨;高长城。该专利摘要显示：一种存储器结构及其形成方法，包括：衬底；位于衬底上的沟道结构，所述沟道结构包括位线区以及源线区，所述沟道结构的材料包括过渡金属硫化物；位于所述源线区上的擦除栅、位于所述源线区上的浮栅、位于所述浮栅上的控制栅结构、位于所述源线区上的字线栅，所述浮栅位于所述擦除栅和所述字线栅之间；位于所述位线区上的位线。所述沟道结构位于衬底表面，沟道结构包括位线区以及源线区，且采用过渡金属硫化物作为沟道材料，减小了由于沟道长度缩短带来的短沟道效应、以及沟道和浮栅之间的漏电问题，提高了存储器结构的性能以及存储面积。

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