清华大学化学系团队在极紫外（EUV）光刻胶材料研发方面取得重要进展。该材料是半导体制造中的关键性光刻工艺材料，长期被国外企业垄断。

此次研发的光刻胶材料具有高分辨率、低线边缘粗糙度和优异的抗蚀刻性能，满足5nm及以下先进制程的技术要求。

研究团队通过分子结构创新设计和精准合成工艺，突破了光刻胶核心性能的技术瓶颈。

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