天眼查App显示，2025年7月29日，江苏天科合达半导体有限公司申请的「一种赶硅充分且高效的溶解多晶硅的方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为江苏天科合达半导体有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司，该项测量测试专利涉及多晶硅溶解工艺的技术改进。据专利信息显示，本发明方法通过多阶段消解与赶酸工艺，实现多晶硅的完全溶解，确保测试结果的准确性，溶解效率提升达工业化生产适用水平。发明人为万宇、申雪珍、邹宇、张平、彭同华、杨建。本专利方法操作简单，适用于ICP MS上机要求，显著优化设备使用效率并降低损耗。摘要显示，该方法包括破碎、消解清洗、水洗、干燥等预处理步骤，并通过氢氟酸和硝酸交替赶硅、赶酸，最终实现硅的高效溶解与系统净化。

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