天眼查App显示，2025年8月5日，《半导体结构及其形成方法》专利正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项基本电气元件专利涉及半导体制造中的互连结构形成技术。据专利信息显示，该技术通过在互连金属层上形成保护层并精确图形化，有利于保障半导体结构的性能提升达稳定指标。发明人为隋凯。该专利摘要指出，通过提供具有互连金属层的基底，依次形成介质层、图形化第一开口、沉积保护层、二次图形化形成第二开口，并最终形成互连通孔结构，从而优化半导体器件的连接可靠性与整体性能。

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