天眼查App显示，2025年8月5日，「碳化硅器件及其制造方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为苏州东微半导体股份有限公司，该项半导体器件专利涉及碳化硅功率器件的结构设计及制造技术。据专利信息显示，该器件通过在N型碳化硅层上设置多个凸起结构以及源极接触沟槽，实现对电流沟道的精准控制，技术效果获得显著优化。发明人为王鹏飞;范让萱。本发明提供一种碳化硅器件，包括N型碳化硅层，所述N型碳化硅层的顶部设有并列设置的多个凸起结构，所述凸起结构包括顶面、侧面和底面；位于所述N型碳化硅层内的N型漏区、P型体区和N型源区，所述N型漏区位于所述N型碳化硅层的底部；在所述凸起结构的长度方向上：所述凸起结构的两侧设有源极接触沟槽，所述P型体区位于所述凸起结构的两端并延伸至所述源极接触沟槽的下方，所述N型源区位于所述P型体区内并位于所述凸起结构的两端；控制所述P型体区内的电流沟道的开启和关断的栅极结构，在所述凸起结构的宽度方向上，所述栅极结构覆盖所述凸起结构的顶面、侧面和底面。

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