英国曼彻斯特大学国家石墨烯研究所的研究人员成功研发了一款新型可编程纳米流体忆阻器，能够模拟人脑的记忆功能，为下一代神经形态计算技术的发展奠定基础。

该项研究成果发表于《自然通讯》期刊，展示了二维纳米通道如何通过调控实现理论上预测的四种忆阻行为，且首次在单一器件中实现。该研究不仅揭示了离子记忆机制的新见解，还可能应用于低功耗离子逻辑、神经形态组件和自适应化学传感等新兴领域。

忆阻器是一种可根据先前电流活动调整自身电阻的元件，从而实现对活动记忆的存储。目前大多数忆阻器依赖电子迁移的固态器件，但Radha Boya教授领导的研究团队采用液态电解质受限于二维材料（如二硫化钼和六方氮化硼）制成的纳米通道。这种纳米流体方法具备超低功耗运行和模拟生物学习过程的能力。

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