天眼查App显示，2025年8月8日，合肥晶合集成电路股份有限公司的「MOS器件及其制作方法」专利正式进入专利公布阶段。申请人为合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体制造专利涉及MOS器件的结构设计及其制作工艺。据专利信息显示，该技术可增大MOS器件的导通电流，提高器件性能。发明人为陈兴。本发明公开了一种MOS器件及其制作方法，其中方法包括以下步骤：在MOS器件的硅衬底表面形成氧化硅层；在氧化硅层上依次沉积高介电常数的第一材料层和牺牲层，刻蚀牺牲层，形成牺牲栅极结构；在牺牲栅极结构上形成低介电常数的第二材料层并刻蚀，在牺牲栅极结构两侧形成偏移侧墙结构；刻蚀偏移侧墙结构两侧硅衬底上的第一材料层，并在硅衬底上形成低掺杂漏极区域；在偏移侧墙结构外侧形成一定厚度的第三材料层，该第三材料层为低介电常数材料层；形成源漏极高掺杂区域；刻蚀牺牲栅极结构及其下方的第一材料层，形成栅极区域凹槽，并在栅极区域凹槽内形成栅极；完成MOS器件的后续工艺。

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