天眼查App显示，2025年8月15日，「基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统」正式进入专利权的授权阶段。申请人为深圳安培龙科技股份有限公司，该项计算；推算；计数专利涉及芯片制备技术领域。据专利信息显示，该方案通过有限元仿真与材料协同筛选，显著优化了芯片温漂系数与零点漂移离散度，发明人为陈君杰、李嘉欣、楚国富、何江涛。本发明涉及分析现有制备材料对应的材料性能参数，从预设材料库中筛选协同制备材料；对压力芯片进行有限元仿真处理，得到压力芯片仿真模型，计算结构挠曲度；配置压力芯片仿真模型的模拟环境条件，计算零点漂移离散度及芯片温漂系数；最终确定高效制备材料并优化制备路径，提高SOI的低零漂压力芯片的制备效率。

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