天眼查App显示，2025年8月26日，「一种半导体器件及其制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体技术专利涉及半导体器件设计与制造领域，尤其面向高性能及低功耗电子设备的应用场景。据专利信息显示，该技术通过优化版图设计，实现双向导通的可控器件制备，具备突破性进展。发明人为余栋林。本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底，具有绝缘层；位于绝缘层一侧并沿第一方向依次邻接的第一阱区、第二阱区和第三阱区，第一阱区和第三阱区的导电类型相同，第一阱区和第二阱区的导电类型相异；形成于第一阱区的第一导电区和形成于第三阱区的第二导电区，第一导电区和第二导电区均包括沿面内方向相邻排布的至少一个第一嵌段和至少一个第二嵌段，第一嵌段和第二嵌段中的其一与第一阱区的导电类型相同且掺杂浓度高于第一阱区，另一与第二阱区的导电类型相同且掺杂浓度高于第二阱区；以形成寄生的第一双极性结型晶体管和第二双极性结型晶体管；通过版图设计即可实现双向导通的可控器件制备和应用。

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