天眼查App显示，2025年8月26日，《一种半导体器件及其制造方法、电子装置》正式进入专利的公布阶段。申请人为芯联集成电路制造股份有限公司，该项半导体专利涉及半导体器件结构设计与制造技术。据专利信息显示，该方案通过漏区接触插塞贯穿漏区并延伸至漂移区中的设计，能够降低比导通电阻并提高击穿电压，实现性能突破性进展。发明人为戴逸;赵晓燕;陆凌杰;黄艳;钟鹏。本申请方案中的漏区接触插塞贯穿漏区并延伸至漂移区中，能够降低比导通电阻并提高击穿电压。

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