天眼查App显示，2025年9月12日，南昌中微半导体设备有限公司与中微半导体设备（上海）股份有限公司联合申请的「一种射频发生器、半导体处理设备及使用方法」专利正式进入专利权的授权阶段。申请人为南昌中微半导体设备有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司，该项基本电子电路专利涉及半导体制造中的高频高压信号生成与处理技术。据专利信息显示，该射频发生器能够输出电压值大于1KV的直流电压信号，并通过第一开关以不小于400KHz的频率变换为高频高压脉冲信号，实现对负载的精准控制。发明人为徐志鹏、常健、王亚军。本发明通过引入高压电源、电容器、第一开关和第一二极管等元件，有效提升了射频发生器的输出稳定性和安全性，尤其适用于高精度半导体处理工艺。专利摘要中还指出，该技术方案可在第一开关断开时通过第一二极管释放反向电压，显著优化了系统的工作效率和可靠性。

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