三星电子第九代V9高容量QLC NAND因设计缺陷导致性能下降，大规模商用计划已推迟至2026年上半年。

三星已于2024年4月开始量产V9 NAND，首批产品采用TLC（三层单元）结构，容量达1Tb；2024年9月起量产更高容量的V9 QLC（四层单元）NAND。

然而，初期V9 QLC产品存在设计缺陷，影响性能表现，迫使公司延迟上市时间。目前三星在QLC领域进展滞后，旗舰QLC NAND仍停留在V7代，V8尚未推出QLC版本。

相比之下，SK海力士已于2024年8月底宣布完成321层、2Tb QLC NAND的研发并实现量产，成为全球首款超过300层的QLC产品。

该产品数据传输速度为前代两倍，写入性能提升56%，读取性能提高18%，写入功耗效率增加23%，在AI数据中心应用中具备更强竞争力。

此外，三星在2024年2月发布了超过400层的V10级1Tb TLC NAND，但尚未公布商用时间表。日本铠侠（Kioxia）于2025年初展示了V10级332层NAND，同样未进入量产阶段。

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