三星电子股价周一上涨5%至83400韩元，创下一年新高。公司第五代12层HBM3E芯片通过英伟达认证测试，成为继SK海力士、美光后第三家向英伟达供应HBM芯片的厂商。

此前三星已向AMD和博通供货，但始终未通过英伟达严苛的认证标准。英伟达要求HBM数据传输速度超过每秒10千兆位元，高于行业普遍的8Gbps。韩国媒体称，三星初期供应量有限。

竞争对手方面，SK海力士已领先量产HBM，并完成HBM4开发，上周股价创历史新高；美光科技美股上周五下跌3.5%。富国银行分析师Andrew Rocha认为，三星进入市场可能对HBM定价造成压力，尤其若其以折让价格抢占份额。

三星正与英伟达、博通及谷歌洽谈HBM4合作，预计最早2026年上半年实现大规模出货。与此同时，公司大幅上调内存与闪存价格：DRAM涨幅达30%，NAND闪存上涨5%—10%。

涨价涉及LPDDR4X、LPDDR5、LPDDR5X内存及eMMC、UFC等NAND产品，主因是老产品减产与云服务商需求激增。美光同步提价20%—30%并暂停接单，闪迪NAND产品上涨10%，全行业面临供需失衡。

产业重心转向AIPC和新一代智能手机，推动厂商减少DDR4等传统产品产能，但LPDDR5/X等新标准产能尚未完全释放，导致DDR4价格暴涨50%，促使DDR5成为更具成本效益的PC方案。

需求侧，DRAM厂商优先保障AI加速器供货，加剧消费级产品供应紧张。三星目前占据32.7%的DRAM和32.9%的NAND市场份额，同时加速推进LPDDR6DRAM设计，首批产品预计今年晚些时候推出。

摩根士丹利指出，HBM“溢价神话”将在2026年面临激烈竞争与定价压力，资金正从AI存储转向传统DRAM板块，大摩看好其长期投资价值。花旗预测2025年DRAM短缺1.8%、NAND短缺4%，摩根士丹利预计NAND短缺将达8%。

市场担忧内存价格上涨将推高消费电子与企业采购成本，而三星作为全球最大内存厂商之一，其定价策略具行业风向标意义，供应紧张态势或持续至2025年。

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