中国上海，2025年9月25日——全球知名半导体制造商罗姆与英飞凌科技股份公司签署备忘录，建立SiC功率器件封装合作机制。双方将推动彼此成为特定封装的第二供应商，提升客户在车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等应用中的设计与采购灵活性。

根据协议，罗姆将采用英飞凌的SiC顶部散热平台，包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装，统一标准化高度为2.3mm，有助于简化设计流程、降低散热成本，并提升功率密度最高达两倍。

同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发兼容封装，为其Double TO-247 IGBT产品线新增SiC半桥解决方案。DOT-247封装相较传统TO-247封装可降低约15%热阻和50%电感，功率密度提升至2.3倍。

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer表示，此次合作将为客户在设计和采购中提供更丰富选择与更高灵活性，并助力开发高能效低碳应用方案。

罗姆董事兼常务执行官伊野和英表示，与英飞凌的合作有助于拓展解决方案组合，降低系统复杂性，提升客户满意度，并共同推动功率电子行业发展。

双方计划未来将合作扩展至硅基、SiC及GaN等多种封装领域，深化协作以提供更广泛的解决方案与采购选项。

SiC功率器件具备高效电力转换能力，在高功率应用中提升性能表现，具有高可靠性与小型化优势，适用于电动汽车充电、可再生能源系统和AI数据中心等领域。

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