随着2025年内存价格迎来暴涨，DDR4价格涨幅超两倍，16GB内存条突破500元，普通内存条被调侃为“理财产品”。

受全球人工智能芯片热潮影响，智能手机、计算机和服务器广泛使用的存储芯片供应趋紧，引发部分客户恐慌性采购，进一步推高价格。分析指出，AI热潮的连锁反应正为三星电子等内存制造商带来股价反弹动力。

全球存储芯片行业正加速迈入所谓“超级周期”，设备制造商大规模囤积存储芯片。半导体分销商Fusion Worldwide总裁Tobey Gonnerman表示，过去一两个月需求激增，市场变化迅速，客户普遍采取双倍或三倍下单策略。

自2022年11月ChatGPT发布以来，存储芯片制造商持续将产能转向高带宽内存（HBM）芯片生产，以满足AI服务器GPU的需求。同时，面对中国长鑫存储在低端DRAM市场的竞争压力，三星和SK海力士加速向高端产品转型。

自2025年初起，主要厂商陆续调整战略，逐步减少乃至计划于2025年底至2026年初完全停止DDR4内存颗粒生产，将产能全面转向DDR5和HBM等高利润产品。

TechInsights副董事长Dan Hutcheson指出，市场资金充裕推动需求增长。摩根士丹利预计，Alphabet、亚马逊、Meta、微软和CoreWeave等科技巨头今年将在AI基础设施上投入4000亿美元。

当前传统数据中心和个人电脑正进入更新换代周期，叠加手机销量超预期，加剧了非HBM内存芯片的供应紧张。此前供过于求的DDR5服务器内存市场，均价已大幅上涨。

TechInsights数据显示，DRAM现货价格9月同比上涨近两倍，而4月时仅上涨4%。本季度DRAM芯片平均库存周期降至八周，远低于去年同期的十周和2023年初的31周。

威刚董事长陈立白称，当前DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘四大存储类别全面缺货涨价的局面，在其三十余年从业经历中前所未有。他预测第四季度将进入严重缺货阶段，并预期明年产业将持续繁荣。

韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若涨势延续，明年非HBM内存芯片盈利能力或超越HBM。据估算，三星第三季度标准DRAM业务运营利润率约40%，HBM业务达60%。美光预测2026年HBM与非HBM业务均将保持健康利润率。

存储芯片涨价给消费电子和服务器制造商带来成本压力。英国Raspberry Pi公司宣布涨价，称内存成本较一年前上升约120%，首席执行官Eben Upton表示已需分摊部分成本。

存储芯片制造商股价年内大幅上涨：三星涨幅超80%，SK海力士和美光分别飙升170%和140%。全球内存模块企业股价亦普遍攀升。

TechInsights的Hutcheson提醒，“超级周期”一词可能被过度渲染，当前更符合持续一至两年的经典短缺周期。该机构预测芯片行业将于2027年进入衰退期。

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