摩根士丹利分析师 Shawn Kim 和 Duan Liu 表示，AI 服务器普及显著推升 DRAM 与 NAND 存储芯片需求，导致行业库存快速消耗，价格持续上涨。

报告指出，SK 海力士当前 DRAM 库存水平已降至约两周，实际处于“边生产边发货”状态，NAND 存储产品库存亦下降至 4-5 周。

分析认为，近期存储芯片需求意外增长，可能为2026年市场严重供不应求奠定基础，这一高景气状态或持续至明年某一时间点。

SK 海力士最新财报显示，受益于 HBM 产品需求强劲，2025 年第三季度营业利润同比飙升 62%，公司确认其 DRAM 和 NAND 产能已被客户预订至 2026 年。

HBM4 芯片预计将于2025年年底开始出货，目前 SK 海力士在全球 HBM 市场占据 64% 份额，美光以 21% 排名第二，三星以 15% 位居第三。

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