SK海力士在2024年AI峰会上公布未来存储技术路线图，涵盖HBM、DRAM及NAND产品演进规划。

2026至2028年间，公司将推出16层堆叠的HBM4内存，并开始供应定制化HBM4E解决方案；通用DRAM领域将提供LPDDR5R、标准版及集成计算功能的LPDDR6；NAND方面将推出支持PCIe Gen6的企业级与客户端固态硬盘，以及UFS 6.0闪存标准。

2029至2031年中期规划中，SK海力士将全面进入HBM5(E)时代；通用DRAM将推出下一代GDDR、DDR6，并实现晶体管结构重大变革的3D DRAM；NAND产品将实现400层以上堆叠，搭载PCIe Gen7接口的SSD及UFS 6.0也将陆续面世。

定制化HBM设计方面，SK海力士计划将协议、控制器等功能从XPU芯片迁移至HBM基础裸片（Base Die），以释放计算单元空间并降低数据接口能耗。

公司为AI时代DRAM发展提出三大方向：AI-D O聚焦低功耗高性能以降低总拥有成本（TCO）；AI-D B通过集成计算能力突破内存墙限制；AI-D E则致力于扩展DRAM应用边界。

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