多位半导体行业资深人士预测，全球存储芯片供应短缺将至少持续至2027年。新思科技首席执行官萨西尼·加齐指出，当前内存芯片产能主要集中于人工智能基础设施，导致消费电子等其他领域面临显著供应压力；三星、SK海力士和美光虽正扩大生产，但扩产目标实现需至少两年时间。

美光科技在2026财年第一季度业绩报告中表示，持续的行业需求叠加供应限制，使存储市场紧张态势将持续至2026年以后，上行周期预计不少于三年。推动该趋势的核心因素是高带宽内存（HBM）芯片的强劲需求，美光预测HBM总潜在市场规模将从2025年的约350亿美元增至2028年的约1000亿美元，复合年增长率约40%。

NAND需求亦随HBM增长而上升，市场整体上升周期可能自2024年延续至2028年。布鲁姆斯伯里情报与安全研究所指出，制造商将晶圆产能由DRAM转向HBM，引发结构性危机：DRAM价格同比上涨171%，DDR5现货价格自2025年9月以来已翻两番。

存储器价格预计在2027—2028年维持高位，仅当新制造设施量产时才可能部分回落；若人工智能需求同步放缓，供应过剩或延至2028—2029年。IDC确认半导体“超级周期”已然开启，2024—2028年全球半导体收入有望保持两位数复合年增长率。

高盛报告指出，DDR5现货价格年初大幅上涨，DDR4现货价格自2024年9月起持续攀升，DRAM合约价上涨动力强劲；其预测三星2026年DRAM芯片平均定价将逐季环比增长，一季度增幅预计达50%。野村证券判断全球存储市场正经历DRAM、NAND与HBM同步激增的“三重超级周期”，该周期将持续至2027年。

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