据美银最新报告，DRAM现货价格在连续多月上涨后于上周出现回落，为自2025年9月以来首次回调。

受持续涨价影响，多家OEM厂商反映，低阶PC、智能手机与平板中DRAM成本占比已超出合理水平；通常该成本占终端售价比例低于一成，但按当前现货价测算，部分产品已难以消化相关成本。

美银指出，DRAM现货价与合约价仍存在显著差距：一线OEM所获合约价维持在每GB 10~20美元区间，远低于现货价；现货价后续或向合约价回归。

部分模组厂表示，若DDR4或DDR5价格回落至20~30美元/GB区间，无论容量或规格，市场仍将具备明显追加采购意愿。

美银强调，本次回调不宜定义为产业反转或硬着陆信号，仅反映短期终端成本压力开始传导，但涨价仍是存储产业主旋律。

TrendForce最新调查显示，2026年第一季度AI与数据中心需求加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力增强；全面上修DRAM与NAND Flash合约价环比涨幅，预估Conventional DRAM合约价涨幅由55%~60%上调至90%~95%，NAND Flash由33%~38%上调至55%~60%，且不排除进一步上调可能。

美银同步上调2026年DRAM与NAND平均销售价格（ASP）预期超20%，小幅调高位元出货量成长假设，并上修资本支出预估，主要因HBM扩产及晶圆厂土木工程与电力基建投资增加。

美银认为，在AI驱动与HBM扩产支撑下，存储产业中期基本面仍偏正向；后续关键变量为价格修正幅度与终端需求消化速度；预计2026年第二季度至下半年ASP趋于稳定，2027年可能出现低于10%的价格回调。

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