全球首只专注内存芯片的交易所交易基金（ETF）——Roundhill Memory ETF（代码：DRAM）于4月2日在美股上市，被市场称为首款“纯内存ETF”。该ETF为主动管理型产品，管理费率为0.65%，投资标的限定为收入超50%来自HBM、DRAM或NAND芯片制造的企业，当前持仓共九只股票。

其前三大重仓股为美光科技（24.99%）、三星电子（24.22%）和SK海力士（23.83%），三者合计权重达73.04%。其余成分股包括闪迪、铠侠、西部数据、希捷、南亚科及华邦电等全球主要存储芯片制造商。

与覆盖设计、制造、设备等全链条的传统半导体ETF不同，DRAM ETF仅聚焦存储芯片环节，旨在直接反映AI时代对高带宽内存与数据存储能力的需求增长。该ETF的推出，标志着内存芯片首次从广义半导体板块中独立成可交易金融主题。

上市首周，该ETF股价表现强劲，4月6日（周一）收盘报29.16美元，单日上涨1.40美元，涨幅5.04%。不过，部分市场人士对其短期走势持谨慎态度。BTIG首席市场技术分析师乔纳森·克林斯基指出，历史经验显示，热门细分赛道ETF常在行业周期高位阶段推出，具有反向指标特征。

他援引高盛TMT存储指数过去一年上涨350%、2月峰值超400%的背景，强调DRAM ETF滞后于行情峰值推出，可能预示存储周期接近顶部。克林斯基还以Roundhill Meme Stock ETF（2021年12月推出，2023年11月清盘，累计跌逾70%）、VanEck煤炭ETF（2008年1月推出，2020年12月清盘，后煤炭指数大幅反弹）及比特币期货ETF（2021年10月推出，迄今跌超77%）为例，说明同类主题ETF常伴随后续显著回调。

克林斯基特别指出，DRAM ETF最大持仓美光科技当前股价较200日移动平均线高出150%以上，为历史极值，已超越2000年科技泡沫时期水平，暗示相关资产存在估值压力与波动风险。

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