“五一”假期期间，全球存储芯片巨头股价集体大涨。美光科技周一上涨6.31%，闪迪涨近5%，希捷科技与西部数据亦创盘中历史新高。SK海力士在亚洲交易时段暴涨12%，市值首次突破1000万亿韩元，达6970亿美元，位列全球上市公司市值第16位。三星电子当日上涨约5%，同样刷新历史高点。

业绩方面，SK海力士2026年第一季度营收52.58万亿韩元，同比增198%、环比增60%；经营利润37.61万亿韩元，同比增405%、环比增96%；净利润40.35万亿韩元，同比增398%、环比增165%；毛利率79%，同比提升22个百分点、环比提升10个百分点。公司指出，增长源于DRAM与NAND价格上涨及高附加值产品占比提升，当季营业利润率达72%，创历史新高。

三星电子一季度销售收入133.9万亿韩元，同比增69%、环比增43%；经营利润57.2万亿韩元，同比增756%、环比增184.6%。其半导体事业部（DS部门）收入81.7万亿韩元，环比增86%；其中存储芯片收入74.8万亿韩元，环比增101.62%，晶圆代工业务收入6.9万亿韩元，环比持平。

闪迪2026财年第三财季（即2026年第一季度）Non-GAAP营收59.5亿美元，环比增97%；毛利率78.4%，环比升27.3个百分点；净利润36.75亿美元，环比增280%。数据中心业务营收环比增长233%，成为高价值市场转型核心。巴克莱银行将SK海力士目标价由900欧元上调至1100欧元，三星电子目标价由40万便士上调至42.5万便士；Fox Advisors与伯恩斯坦分别将闪迪目标价上调至1500美元和1750美元。

分析指出，AI训练与推理对高带宽内存（HBM）及大容量存储需求激增，英伟达等AI芯片厂商已基本包揽头部存储厂高端产能，引发结构性短缺，部分传统存储颗粒半年涨幅超200%，成本压力传导至终端产品。Counterpoint Research数据显示，DRAM市场已连续两季度环比增长30%。美光科技董事长桑贾伊·梅洛特拉表示，AI尚处“第一局”，推理扩展将持续推高对高速内存的需求，而当前供应极为紧张。

美光正为英伟达Vera Rubin平台提供12层HBM4 DRAM，并开发HBM4E内存，预计2027年投产；已发布256GB SOCAMM2内存，并为Groq 3 LPX提供DDR5内存。D.A. Davidson分析师吉尔·卢里亚给予美光1000美元目标价，较当时股价有近八成上行空间。SK海力士4月22日宣布将在韩国投资19万亿韩元（约128.5亿美元）建设先进封装工厂，专用于HBM等AI存储产品；三星电子则聚焦DDR5、SOCAMM2及PCIe 6.0企业级SSD研发与量产。中关村物联网产业联盟副秘书长袁帅认为，本轮景气周期至少持续至2026年底；眺远影响力研究院院长高承远指出，当前上涨逻辑基于“AI刚需+供给受限”，属产业趋势性机会。

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