在IEEE ISSCC 2025国际固态电路会议上，三星电子公布了其HBM内存的最新路线图，重点展示了HBM4E的性能参数目标。据悉，HBM4E将引入32Gb DRAM裸片，并在16Hi堆叠时将单堆栈容量扩展至64GB。此外，HBM4E的每引脚速率提升至10Gbps，整体带宽将达到HBM4的1.25倍。

这一技术突破预计将显著提升高性能计算和人工智能领域的应用能力。英伟达计划在2027年推出的Rubin Ultra AI GPU将支持12个HBM4 (E) 堆栈，单加速器内存容量有望达到768GB，为AI计算提供更强大的数据处理能力。