二维材料突破硅限制,开启电子技术新纪元

一项由宾州州立大学主导的研究成功利用二维材料开发出首台功能完备的CMOS计算机,标志着电子技术迈向更薄、更快、更节能的新阶段。研究团队选用二硫化钼和二硒化钨分别制造n型和p型晶体管,突破了传统硅材料在微型化过程中的性能瓶颈。该计算机虽运行频率较低,但已能执行简单逻辑运算,展现出显著优势。

研究负责人萨普塔尔希・达斯教授表示,二维材料在原子厚度下仍保持优异特性,为超越硅技术提供了可能。通过金属有机化学气相沉积技术,团队制造出大面积薄膜,并优化晶体管性能,构建完整逻辑电路。这一成果不仅为未来电子产品设计开辟新路径,也为二维材料的广泛应用奠定了基础。

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