据韩媒ETNews报道,SK海力士正积极研发飞秒激光等先进晶圆切割技术,以应对存储器晶圆厚度持续降低的行业趋势。目前该公司主要采用机械刀片切割和隐形切割技术,但这些方法分别仅适用于100μm以上和50μm左右的晶圆厚度。
随着HBM内存和400+层NAND等先进存储器的发展,晶圆厚度要求日益严苛。为此,SK海力士已联合激光设备供应商启动技术评估项目,测试包括预开槽和全激光分离在内的多种创新方案。该举措有望为下一代存储器制造提供关键技术支撑。
据韩媒ETNews报道,SK海力士正积极研发飞秒激光等先进晶圆切割技术,以应对存储器晶圆厚度持续降低的行业趋势。目前该公司主要采用机械刀片切割和隐形切割技术,但这些方法分别仅适用于100μm以上和50μm左右的晶圆厚度。
随着HBM内存和400+层NAND等先进存储器的发展,晶圆厚度要求日益严苛。为此,SK海力士已联合激光设备供应商启动技术评估项目,测试包括预开槽和全激光分离在内的多种创新方案。该举措有望为下一代存储器制造提供关键技术支撑。