SK海力士宣布，已完成全球首款321层2Tb QLC NAND闪存产品的开发并启动量产，创下QLC技术堆叠层数新纪录。该产品在容量与性能方面实现显著突破，数据传输速度翻倍，写入性能提升56%，读取性能增长18%，同时写入功耗效率提高超过23%。公司计划于明年上半年在全球客户验证完成后正式推出，进一步推动高密度存储技术发展。