SK海力士宣布,已将阿斯麦(ASML)推出的全球首款量产型高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)TWINSCAN EXE:5200B引入韩国利川M16工厂。此举标志着其在先进DRAM制造领域的持续突破。自2021年将EUV技术首次应用于第四代10纳米工艺以来,SK海力士不断拓展该技术的量产边界。新设备数值孔径提升至0.55,晶体管刻蚀尺寸缩小1.7倍,密度提升达2.9倍,性能增强约40%,为下一代半导体工艺奠定基础。
免责声明:本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。
SK海力士宣布,已将阿斯麦(ASML)推出的全球首款量产型高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)TWINSCAN EXE:5200B引入韩国利川M16工厂。此举标志着其在先进DRAM制造领域的持续突破。自2021年将EUV技术首次应用于第四代10纳米工艺以来,SK海力士不断拓展该技术的量产边界。新设备数值孔径提升至0.55,晶体管刻蚀尺寸缩小1.7倍,密度提升达2.9倍,性能增强约40%,为下一代半导体工艺奠定基础。
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