DB HiTek宣布，其650V增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）工艺开发已进入最终阶段。该8英寸特色晶圆代工厂将于10月底推出专属氮化镓多项目晶圆（MPW）服务，并计划在2026年底前陆续推出200V及集成电路优化的650V氮化镓工艺平台。为支持产能扩展，公司正在扩建韩国忠清北道的Fab2洁净室设施，预计每月新增约3.5万片8英寸晶圆产能。

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。