韩美半导体18日宣布,其用于高带宽存储器(HBM)的混合键合机预计于2027年上市,用于片上系统(SoC)的型号将于2028年推出。该设备将助力HBM与逻辑芯片间的高密度互连,提升AI与高性能计算芯片的性能。此举旨在满足未来先进封装市场的快速增长需求,进一步巩固公司在半导体设备领域的竞争力。
免责声明:本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。
韩美半导体18日宣布,其用于高带宽存储器(HBM)的混合键合机预计于2027年上市,用于片上系统(SoC)的型号将于2028年推出。该设备将助力HBM与逻辑芯片间的高密度互连,提升AI与高性能计算芯片的性能。此举旨在满足未来先进封装市场的快速增长需求,进一步巩固公司在半导体设备领域的竞争力。
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