2025年上半年,中瓷电子完成碳化硅芯片晶圆工艺线由6英寸升级至8英寸,目前已实现通线,正处于产品升级与客户导入阶段。公司陶瓷零部件新产品已通过国产半导体设备上机验证,并实现批量供货。光通信器件外壳支持2.5Gbps至1.6Tbps速率并量产,正配合客户研发3.2Tbps产品。氮化铝多层薄厚膜产品增长显著,已应用于高频高速光模块及AI、数据中心等新兴场景。
免责声明:本文内容由开放的智能模型自动生成,仅供参考。
2025年上半年,中瓷电子完成碳化硅芯片晶圆工艺线由6英寸升级至8英寸,目前已实现通线,正处于产品升级与客户导入阶段。公司陶瓷零部件新产品已通过国产半导体设备上机验证,并实现批量供货。光通信器件外壳支持2.5Gbps至1.6Tbps速率并量产,正配合客户研发3.2Tbps产品。氮化铝多层薄厚膜产品增长显著,已应用于高频高速光模块及AI、数据中心等新兴场景。
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