2026年5月25日，韩国首尔，三星电子成功研制全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型。该器件采用单元多层键合（CMB）技术，将两片450层QLC NAND晶圆高精度键合而成。研发过程中，三星通过上部卡盘抑制晶圆翘曲，并应用新型套刻校正技术解决微米级对准误差；同时优化位线与字线设计，降低功耗并缩小芯片尺寸。样品已通过存储单元工作特性验证，标志着3D NAND垂直集成技术取得重大突破。

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