2026年第三季度，SK海力士计划在大连二厂建设200层（约250层）浮栅（FG）结构3D NAND中试产线，设备采购已启动；目标2027年下半年实现全面量产。该公司凭借收购英特尔闪存业务保留FG技术路线，大连一厂目前已量产192层FG NAND。相较主流电荷阱（CT）结构，FG更适配高密度QLC NAND，契合AI推理等读取密集型应用需求，亦利于Solidigm技术延续。

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