天眼查App显示，北京北方华创微电子装备有限公司公开了一种侧墙刻蚀方法及其应用在场效应晶体管和半导体工艺设备中的技术。该发明提供了一种简化且高效的侧墙刻蚀流程，通过利用不同刻蚀气体依次对多层半导体材料进行刻蚀，实现仅需一个刻蚀步骤即可完成对特定层的处理。具体而言，待刻蚀器件包括衬底、栅极及覆盖其上的三层半导体膜层。通过第一刻蚀气体对最外层的第三半导体层进行刻蚀，直至第二半导体层表面；再用第二刻蚀气体对第二半导体层进行刻蚀，直至第一半导体层表面。此方法避免了传统两步刻蚀流程，显著提高了刻蚀效率并简化了工艺步骤。这一创新有望提升半导体制造的生产效率和产品质量。

风险警告：本文根据网络内容由AI生成，内容仅供参考，不应作为专业建议或决策依据。用户应自行判断和验证信息的准确性和可靠性，本站不承担可能产生的任何风险和责任。内容如有问题，可联系本站删除。