天眼查App显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司近日获得一项关于“异构沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法”的发明专利授权。该专利旨在实现低开关损耗、高开关速度及低导通电阻的特性，适用于半导体领域。

关键点：
- 专利名称：异构沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法
- 专利号：CN202411975409.5
- 申请时间：2024年12月31日
- 公布时间：2025年2月7日
- 授权时间：2025年4月15日
- 申请人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
- 发明人：周海、施广彦、胡臻、何佳
- 专利类型：发明专利

该专利的授权标志着泰科天润在碳化硅半导体技术领域取得重要进展，为相关行业提供了高效的技术解决方案。

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