天眼查App显示，2025年4月29日，「一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法」正式进入专利公布阶段。申请人为东芯半导体股份有限公司，该项信息存储专利涉及非易失性存储器的写入功耗优化技术。据专利信息显示，该方法能够显著优化非易失性存储器在写入操作中的功耗表现。发明人为曹健睿、陈慧和陈纬荣。本发明提供一种用于非易失性存储器的写入功耗降低的方法，包括对存储单元栅极施加写入脉冲、漏极电流检测、判断电流值是否达到阈值以及基于结果完成写入操作等步骤。

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