天眼查App显示，2025年4月29日，「双栅MOS结构及其制备方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为晶芯成（北京）科技有限公司、合肥晶合集成电路股份有限公司，该项半导体工艺专利涉及一种双栅MOS结构及其制备方法。据专利信息显示，该技术能够在不额外占用晶圆面积的情况下，显著改善短沟道效应问题。发明人为王文智、刘哲儒。 「本申请提供了一种双栅MOS结构及其制备方法，通过在下凹孔内填充形成第一栅极结构初体，并结合第二栅极结构的设计，优化了栅极与衬底的接触面形态，从而有效缓解短沟道效应，提升器件性能。」

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