天眼查App显示，2025年5月2日，「一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为横店集团东磁股份有限公司，该项太阳能电池专利涉及全硅基多结太阳能电池的结构设计与制备技术。据专利信息显示，该技术实现了电池性能的显著优化，并有效减少遮光损伤，同时避免串联为电池组件后连接导线对硅片侧面的损伤，从而提高良品率。发明人为吴成坤、任勇和陈德爽。 「本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种四端式全硅基多结太阳能电池及制备方法。该电池包括：N型硅基底，设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化膜，设于N型硅基底背面且交错排布的正极区A、负极区A、正极区B和负极区B；正极区A包括内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层、钝化膜和正极；负极区A包括内硼扩散层、磷扩散层、钝化膜和正极；正极区B包括内硼扩散层、钝化膜和正极；负极区B包括钝化膜和负极。本发明电池中电极全部位于背面，不仅可有效减少遮光损伤，有利于提升电池性能，且在串联为电池组件后可避免连接导线对硅片侧面的损伤，提高良品率。本发明电池为全硅基电池，电池整体稳定性更好。」

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