天眼查App显示，2025年5月9日，「一种集成SBD碳化硅MOSFET元胞结构及制备方法」正式进入专利公布阶段。申请人为重庆青山工业有限责任公司，该项半导体技术专利涉及碳化硅MOSFET元胞结构优化及制备方法。据专利信息显示，该技术通过增设肖特基金属层，在不增加元胞尺寸的情况下实现SBD的集成，使得芯片沟道密度更高、导通电阻更小，从而显著降低导通损耗，并在保证续流电压较小的情况下提高芯片导通效率。发明人为于志新、游同生、蒋华平、马绍波、钟笑寒、彭志远、刘定杰、杨鹏正、李欣欣、汤磊、谢雨庭。「本发明通过优化结构设计，突破性进展体现在芯片性能显著提升，进一步推动了碳化硅器件的技术发展。」

免责声明：本文内容由开放的智能模型自动生成，仅供参考。