天眼查App显示，2025年5月9日，「半导体结构及其形成方法」正式进入专利的公布阶段。申请人为中芯国际集成电路制造（北京）有限公司和中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，该项半导体技术专利涉及存储单元区中的叠层栅结构设计与擦除栅结构布局优化。据专利信息显示，该发明显著优化了擦除效率，并保障了半导体结构的整体性能。发明人为张慧、石强和冯威。 「一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底，包括存储单元区；叠层栅结构，位于存储单元区的基底上，叠层栅结构包括浮栅结构、以及位于浮栅结构上的控制栅结构，浮栅结构一侧相对于控制栅结构的侧壁向外凸出，且在浮栅结构的凸出部分，浮栅结构的顶面与侧壁构成锐角；擦除栅结构，位于存储单元区中浮栅结构向外凸出一侧的基底上，擦除栅结构覆盖浮栅结构被控制栅结构暴露的顶面和侧壁。本发明增有利于减小对擦除效率的影响，从而有利于保障半导体结构的性能。」

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